Наименование | Имя | Uces, [В] | ICnom | Tj max, [°С] | Uisol | Тип корп. | Габариты корпуса, [мм] |
MIAA-XX12FA-200N | MIAA-xx12FA-200N | 1200 | 200 | 175 | 4000 | MIAA 200 | 61,4/106,4 |
MIAA-XX12FA-300N | MIAA-xx12FA-300N | 1200 | 300 | 175 | 4000 | MIAA 300 | 61,4/106,4 |
MIAA-XX12FA-400N | MIAA-xx12FA-400N | 1200 | 400 | 175 | 4000 | MIAA 400 | 61,4/106,4 |
MIAA-XX17FA-150N | MIAA-xx17FA-150N | 1700 | 150 | 175 | 4000 | MIAA 150 | 61,4/106,4 |
MIAA-XX17FA-200N | MIAA-xx17FA-200N | 1700 | 200 | 175 | 4000 | MIAA17 200 | 61,4/106,4 |
MIAA-XX17FA-300N | MIAA-xx17FA-300N | 1700 | 300 | 175 | 4000 | MIAA17 300 | 61,4/106,4 |
MIDA-HB12FA-300N | MIDA-xx12FA-300N | 1200 | 300 | 175 | 4000 | 62/152 | |
MIDA-HB12FA-450N | MIDA-xx12FA-450N | 1200 | 450 | 175 | 4000 | 62/152 | |
MIDA-HB12FA-600N | MIDA-xx12FA-600N | 1200 | 600 | 175 | 4000 | 62/152 | |
MIDA-HB17FA-300N | MIDA-xx17FA-300N | 1700 | 300 | 175 | 4000 | 62/152 | |
MIDA-HB17FA-450N | MIDA-xx17FA-450N | 1700 | 450 | 175 | 4000 | 62/152 | |
MIFA-XX12FA-100N | MIFA-xx12FA-100N | 1200 | 100 | 175 | 4000 | MIFA 100 | 34/94 |
MIFA-XX12FA-150N | MIFA-xx12FA-150N | 1200 | 150 | 175 | 4000 | MIFA 150 | 34/94 |
MIFA-XX12FA-200N | MIFA-xx12FA-200N | 1200 | 200 | 175 | 4000 | MIFA 200 | 34/94 |
MIFA-XX17FA-075N | MIFA-xx17FA-075N | 1700 | 75 | 175 | 4000 | MIFA17 075 | 34/94 |
MIFA-XX17FA-100N | MIFA-xx17FA-100N | 1700 | 100 | 175 | 4000 | MIFA17 100 | 34/94 |
MIFA-XX17FA-150N | MIFA-xx17FA-150N | 1700 | 150 | 175 | 4000 | MIFA17 150 | 34/94 |
- 2HB – 2 ключа IGBT, вид схемы: полумост (half bridge);
- 2CE – 2 ключа IGBT, вид схемы: двойной ключ (common emitter), только для MIAA;
- 1HC – 1 ключ IGBT, вид схемы: верхний чоппер (high side chopper);
- 1LC – 1 ключ IGBT, вид схемы: нижний чоппер (low side chopper).
Пример маркировки:
MIAA |
- |
2 |
HB |
|
|
|
|
|
|
1 |
|
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
|
7 |
8 |
1. MIAA – корпус шириной 62 мм 2. Количество IGBT ключей 3. Вид схемы 4. Класс по напряжению 5. Модификация IGBT чипов 6. Модификация модуля 7. Максимально допустимый ток, A 8. Климатическое исполнение по ГОСТ 15150: N2
Каталог продукции АО "Протон-Электротекс". Силовые полупроводниковые приборы (8,74 МБ)
Рекомендации по применению IGBT модуля АО "Протон-Электротекс". (4,37 МБ)
На сегодняшний день силовые IGBT-модули являются одними из самых популярных силовых ключей для преобразователей электроэнергии различной функциональности. Большая часть рынка силовых транзисторов принадлежит именно им. Это связано с тем, что технологии энергосбережения – вопрос очень актуальный, и он привлекает производителей электронной техники к изготовлению модулей на базе биполярных транзисторов с изолированным затвором. Главная задача – эффективность в «администрировании» электрической энергии.
Использование в конструкции преобразователей подобных абсолютно управляемых и быстродействующих электронных компонентов дает возможность конвертировать электроэнергию на высоких частотах. При этом уменьшаются общие потери в аппаратах, снижается масса и размеры устройств, становится возможным применение современных систем управления.
Рабочее напряжение IGBT-модулей составляет от 600 до 1700 В, а коммутация токов обеспечивается до 400 А.
Основой таких модулей являются IGBT-транзисторы. Их характеристики позволяют им «работать» с напряжением до 6500 В и током до 360 А. Разнятся с другими агрегатами эти устройства по целому ряду признаков, среди которых:
Вследствие таких свойств IGBT-модули удобно использовать, они обладают отличной надежностью и высоким быстродействием.
К энергосберегающим технологиям прибегают повсеместно – их внедряют и во всевозможных видах производств, и в средствах транспорта. Таким образом, применение IGBT-модулей чрезвычайно обширно. Их используют:
Учитывая такую популярность и всеобщее применение, эти модули постоянно подвергаются различным улучшениям. Увеличивается их устойчивость, обеспечивается долгий срок службы даже в условиях суровой эксплуатации и аварийных режимов.