IGBT модули

Наименование	Имя	Uces, [В]	ICnom	Tj max, [°С]	Uisol	Тип корп.	Габариты корпуса, [мм]
MIAA-XX12FA-200N	MIAA-xx12FA-200N	1200	200	175	4000	MIAA 200	61,4/106,4
MIAA-XX12FA-300N	MIAA-xx12FA-300N	1200	300	175	4000	MIAA 300	61,4/106,4
MIAA-XX12FA-400N	MIAA-xx12FA-400N	1200	400	175	4000	MIAA 400	61,4/106,4
MIAA-XX17FA-150N	MIAA-xx17FA-150N	1700	150	175	4000	MIAA 150	61,4/106,4
MIAA-XX17FA-200N	MIAA-xx17FA-200N	1700	200	175	4000	MIAA17 200	61,4/106,4
MIAA-XX17FA-300N	MIAA-xx17FA-300N	1700	300	175	4000	MIAA17 300	61,4/106,4
	MIDA-xx12FA-300N	1200	300	175	4000		62/152
	MIDA-xx12FA-450N	1200	450	175	4000		62/152
	MIDA-xx12FA-600N	1200	600	175	4000		62/152
	MIDA-xx17FA-300N	1700	300	175	4000		62/152
640ee58b09b6e5d4b9239191224d80c2	MIDA-xx17FA-450N	1700	450	175	4000		62/152
MIFA-XX12FA-100N	MIFA-xx12FA-100N	1200	100	175	4000	MIFA 100	34/94
MIFA-XX12FA-150N	MIFA-xx12FA-150N	1200	150	175	4000	MIFA 150	34/94
MIFA-XX12FA-200N	MIFA-xx12FA-200N	1200	200	175	4000	MIFA 200	34/94
MIFA-XX17FA-075N	MIFA-xx17FA-075N	1700	75	175	4000	MIFA17 075	34/94
MIFA-XX17FA-100N	MIFA-xx17FA-100N	1700	100	175	4000	MIFA17 100	34/94
MIFA-XX17FA-150N	MIFA-xx17FA-150N	1700	150	175	4000	MIFA17 150	34/94

Параметры IGBT модулей, где «xxx» - это:

- 2HB – 2 ключа IGBT, вид схемы: полумост (half bridge);

- 2CE – 2 ключа IGBT, вид схемы: двойной ключ (common emitter), только для MIAA;

- 1HC – 1 ключ IGBT, вид схемы: верхний чоппер (high side chopper);

- 1LC – 1 ключ IGBT, вид схемы: нижний чоппер (low side chopper).

Пример маркировки:

MIAA	-	2	HB
1		2	3	4	5	6		7	8

1. MIAA – корпус шириной 62 мм 2. Количество IGBT ключей 3. Вид схемы 4. Класс по напряжению 5. Модификация IGBT чипов 6. Модификация модуля 7. Максимально допустимый ток, A 8. Климатическое исполнение по ГОСТ 15150: N2

На сегодняшний день силовые IGBT-модули являются одними из самых популярных силовых ключей для преобразователей электроэнергии различной функциональности. Большая часть рынка силовых транзисторов принадлежит именно им. Это связано с тем, что технологии энергосбережения – вопрос очень актуальный, и он привлекает производителей электронной техники к изготовлению модулей на базе биполярных транзисторов с изолированным затвором. Главная задача – эффективность в «администрировании» электрической энергии.

Зачем нужны IGBT-модули

Использование в конструкции преобразователей подобных абсолютно управляемых и быстродействующих электронных компонентов дает возможность конвертировать электроэнергию на высоких частотах. При этом уменьшаются общие потери в аппаратах, снижается масса и размеры устройств, становится возможным применение современных систем управления.

Рабочее напряжение IGBT-модулей составляет от 600 до 1700 В, а коммутация токов обеспечивается до 400 А.

Основой таких модулей являются IGBT-транзисторы. Их характеристики позволяют им «работать» с напряжением до 6500 В и током до 360 А. Разнятся с другими агрегатами эти устройства по целому ряду признаков, среди которых:

Расширенная область безопасной работы.
Большой диапазон допустимой энергии переключения – частоты достигают 30 кГц.
Небольшая величина напряжения насыщения – не выше, чем 2,5 В.
Низкое тепловое сопротивление.
Возможность коммутации больших импульсных токов.

Вследствие таких свойств IGBT-модули удобно использовать, они обладают отличной надежностью и высоким быстродействием.

Области использования

К энергосберегающим технологиям прибегают повсеместно – их внедряют и во всевозможных видах производств, и в средствах транспорта. Таким образом, применение IGBT-модулей чрезвычайно обширно. Их используют:

В тяговых приводах общественного, железнодорожного и большегрузного автомобильного транспорта.
В электросистемах судов.
В медицинском оборудовании.
В преобразователях солнечной и ветровой энергии.
В источниках бесперебойного питания.
В высоковольтных сетях.
В цепях преобразователей напряжений.

Учитывая такую популярность и всеобщее применение, эти модули постоянно подвергаются различным улучшениям. Увеличивается их устойчивость, обеспечивается долгий срок службы даже в условиях суровой эксплуатации и аварийных режимов.